OC1 0} 300 (C10300) kislorodsiz mis material, kislorod tarkibiga nisbatan 99,95% ga teng, kislorod tarkibi va oksid erishi bilan bog'liq bo'lgan yuqori toza mis materiali. Ajoyib elektr \/ issiqlik o'tkazuvchanligi va egiluvchanligi bilan ushbu material aniq elektronika va energiya uskunalari ishlab chiqarish uchun asosiy xom ashyoga aylandi.
Ishlab chiqarish jarayoni
Vakuum indutication eritilishi → Vertikal uzluksiz kasting → Ko'p passiv sovuq rollash → himoya muhitini yumshatish yopiq ishlab chiqarish tizimi. Kislorod tarkibi butun jarayon davomida 10 minutdan kam yoki teng bo'lgan, donni tozalash texnologiyasi materialning mikrolatema va barqaror jismoniy xususiyatlarga ega ekanligini ta'minlaydi.
Yadro xususiyatlari
Zo'r o'tkazuvchanligi: 102% IAC o'tkazuvchanligi, oddiy misdan yuqori yuqori yuqori.
A'lo qayta ishlash bo'yicha ishlash: chuqur chizilgan, yigirish va boshqa aniq ishlov berish uchun mos ravishda sovuq deformatsiyalarning 90% dan oshishi mumkin.
Kuchli issiqlik barqarorligi: -196 darajasidan 400 darajagacha
Yuqori sirtni tugatish: 0 dan kam yoki unga teng yoki unga teng yoki vakuum qoplama substratining talablariga javob berish.
Zo'r payvandlashning ajoyib ishlashi: lazer payvandlash uchun mos keladi, elektron nurni payvandlash va boshqa ilg'or ulanish jarayonlari.
Odatda arizalar
- yarimo'tkazgich ishlab chiqarish: tashuvchini tashuvchi, to'kilayotgan maqsadlar
- Yangi energiya sohasi: Lityum batareya yechish, fotovoltaik konvertatsiya guruhi
- RF Qurilmalar: 5G Baza stantsiyasi WaveDi Hide, kootsial ulagichlar
- Supero'tkazuvchi uskunalar: past harorat past haroratli palyar qo'llab-quvvatlash strukturasi
- Vakuum Electronics: Mageatron bo'shliq, tezlikni boshqarish naycha komponentlari
Sanoat prognozi
5G aloqa bazasi stantsiyasining qurilishi (o'rtacha yillik o'sish sur'ati 18%), transport vositasi 1,2 million tonnaga kirishni (202 million tonnaga etkazishi kutilmoqda), yuqori aniqlikdagi kislorodsiz mis talabi o'sishda davom etmoqda. Vodorod yoqilg'isi plitasi, keyingi besh yil davomida o'zining rivojlanayotgani va boshqa paydo bo'lgan besh yil davomida% ning o'rtacha o'sishi katta salohiyatga ega. Moddiy R & D Nanotsristallline kuchaytirishga (kuch 30% ga) va boshqa yo'nalishlar 5 baravar ko'paydi.
